第830章 晶片进展2
⚡ 自动翻页
开启后阅读到底自动进入下一章
⚡ 开启自动翻页更爽
看到章尾自动进入下一章，追书不用一直点。
  最近三个批次的波动范围已经控制在±2%以內。”
  “68.5%？”姚尘风身体前倾，手指停止了敲击，语气中混合著惊讶和欣喜。
  【记住全网最快小説站????????????.??????】
  “如果我没记错，上次季度匯报，这个数字还在45%徘徊。
  这个爬坡速度，超出了我们內部的预期。
  怎么做到的？”
  “是的，姚总，提升速度確实超预期。”负责人语气肯定，也有振奋。
  “突破主要来自三个方面：
  首先是孟总团队带来的finfet三维鰭片形状和应力工程的精確调控模型，优化了载流子迁移率，显著降低了漏电流，这是提升良率和能效的基础。”
  “其次，是在后段互连环节，我们和中芯国际的伙伴共同攻关，採用了新的铜互连阻挡层材料和更低介电常数的低k介质，有效降低了rc延迟和整体晶片功耗。”
  “而第三点，至关重要，”他提高了音量，目光转向陈默。
  “陈总领导的eda团队，提供了更新一代、精度更高的pdk和仿真模型。
  特別是其中的化学机械拋光（cmp）建模和面向製造的设计（dfm）规则检查，让我们在设计阶段就预先规避了超过30%的潜在製造热点（hotspot）和天线效应问题。
  这大大减少了流片后的反覆次数，缩短了良率爬升周期。
  可以说，是设计和工具的进步，反向拉动了製造工艺的成熟。”